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多功能數(shù)字式四探針測試儀是運用四探針測量原理測試電阻率/方阻的多用途綜合測量儀器。該儀器設(shè)計符合GB/T1551-2009《硅單晶電阻率測定方法》、GB/T1551-1995《硅、鍺單晶電阻率測定直流兩探針法》、GB/T1552-1995《硅、鍺單晶電阻率測定直流四探針法》并參考美國A.S.T.M標(biāo)準(zhǔn)。

儀器成套組成：由主機(jī)、選配的四探針探頭、測試臺等部分組成。

主機(jī)主要由精密恒流源、高分辨率ADC、嵌入式單片機(jī)系統(tǒng)組成。儀器所有參數(shù)設(shè)定、功能轉(zhuǎn)換全部采用數(shù)字化鍵盤輸入;具有零位、滿度自校功能;電壓電流全自動轉(zhuǎn)換量程;測試結(jié)果由數(shù)字表頭直接顯示。本測試儀特贈設(shè)測試結(jié)果分類功能，zui大分類10類。

探頭選配：根據(jù)不同材料特性需要，探頭可有多款選配。有高耐磨碳化鎢探針探頭，以測試硅類半導(dǎo)體、金屬、導(dǎo)電塑料類等硬質(zhì)材料的電阻率/方阻;也有球形鍍金銅合金探針探頭，可測柔性材料導(dǎo)電薄膜、金屬涂層或薄膜、陶瓷或玻璃等基底上導(dǎo)電膜(ITO膜)或納米涂層等半導(dǎo)體材料的電阻率/方阻。換上四端子測試夾具，還可對電阻器體電阻、金屬導(dǎo)體的低、中值電阻以及開關(guān)類接觸電阻進(jìn)行測量。配專用探頭，也可測試電池極片等箔上涂層電阻率方阻。

測試臺選配：一般四探針法測試電阻率/方阻配SZT-A或SZT-B或SZT-C或SZT-F型測試臺。二探針法測試電阻率測試選SZT-K型測試臺，也可選配SZT-D型測試臺以測試半導(dǎo)體粉末電阻率，選配SZT-G型測試臺測試橡塑材料電阻率。詳見《四探針儀器、探頭和測試臺的特點與選型參考》

儀器具有測量精度高、靈敏度高、穩(wěn)定性好、智能化程度高、結(jié)構(gòu)緊湊、使用簡便等特點。

儀器適用于半導(dǎo)體材料廠器件廠、科研單位、高等院校對導(dǎo)體、半導(dǎo)體、類半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電性能的測試。

基本技術(shù)參數(shù)

1.測量范圍、分辨率(括號內(nèi)為可向下拓展1個數(shù)量級)

電阻：10.0×10-6～200.0×103Ω,分辨率1.0×10-6～0.1×103Ω

(1.0×10-6～20.00×103Ω,分辨率0.1×10-6～0.01×103Ω)

電阻率：10.0×10-6～200.0×103Ω-cm分辨率1.0×10-6～0.1×103Ω-cm

(1.0×10-6～20.00×103Ω-cm分辨率0.1×10-6～0.01×103Ω-cm)

方塊電阻：50.0×10-6～1.0×106Ω/□分辨率5.0×10-6～0.5×103Ω/□

(5.0×10-6～100.0×103Ω/□分辨率0.5×10-6～0.1×103Ω/□)

2.材料尺寸(由選配測試臺和測試方式?jīng)Q定)

直徑：SZT-A圓測試臺直接測試方式Φ15～130mm，手持方式不限

SZT-B/C/F方測試臺直接測試方式180mm×180mm，手持方式不限.

長(高)度：測試臺直接測試方式H≤100mm,手持方式不限.

測量方位:軸向、徑向均可

3.量程劃分及誤差等級

4.工作電源：220V±10%,f=50Hz±4%,PW≤5W

5.外形尺寸：245mm(長)×220mm(寬)×95mm(高)

凈重：≤1.5～2.0kg